MKY-DBC-051晶閘管dv/dt測(cè)試儀

適用范圍及特點(diǎn)
用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的斷態(tài)電壓臨界上升率dV/dt。
數(shù)字顯示斷態(tài)峰值電壓VDM 。
主要參數(shù)
測(cè)量范圍： 斷態(tài)峰值電壓VDM 0-2000V；

電壓臨界上升率dV/dt 30-1000V/us
外形尺寸：440X440X150mm
整機(jī)重量：15kg

MKY-DBC-051晶閘管dv/dt測(cè)試儀

適用范圍及特點(diǎn) 
用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的斷態(tài)電壓臨界上升率dV/dt。
數(shù)字顯示斷態(tài)峰值電壓VDM 。
主要參數(shù)
測(cè)量范圍： 斷態(tài)峰值電壓VDM 0-2000V；

電壓臨界上升率dV/dt 30-1000V/us
外形尺寸：440X440X150mm
整機(jī)重量：15kg

MKY-DBC-051晶閘管dv/dt測(cè)試儀

適用范圍及特點(diǎn) 
用于測(cè)試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的斷態(tài)電壓臨界上升率dV/dt。
數(shù)字顯示斷態(tài)峰值電壓VDM 。
主要參數(shù)
測(cè)量范圍： 斷態(tài)峰值電壓VDM 0-2000V；

電壓臨界上升率dV/dt 30-1000V/us
外形尺寸：440X440X150mm
整機(jī)重量：15kg