硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) MKY2279

GBW13701—GBW13708是參照原美國(guó)NBS（現(xiàn)為NIST）的標(biāo)準(zhǔn)，以硅為原材料，通過(guò)特殊工藝研制而成的標(biāo)稱值不同的一套硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)片。本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)一般用于檢定和校準(zhǔn)制造和使用中的電阻率（方阻）測(cè)試儀。GBW13709—GBW13710則是用于校準(zhǔn)擴(kuò)展電阻測(cè)量系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)片。
     電阻率樣片規(guī)格一般為直徑2英寸（51mm）— 4英寸（100mm），厚度500?m—650?m的圓片（Wafer），包裝為帶標(biāo)簽的標(biāo)準(zhǔn)幣式單片晶圓包裝盒。擴(kuò)展電阻樣片規(guī)格一般為3mm×5mm矩形薄片，包裝為帶標(biāo)簽的獨(dú)立自封袋。

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) MKY2279

GBW13701—GBW13708是參照原美國(guó)NBS（現(xiàn)為NIST）的標(biāo)準(zhǔn)，以硅為原材料，通過(guò)特殊工藝研制而成的標(biāo)稱值不同的一套硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)片。本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)一般用于檢定和校準(zhǔn)制造和使用中的電阻率（方阻）測(cè)試儀。GBW13709—GBW13710則是用于校準(zhǔn)擴(kuò)展電阻測(cè)量系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)片。
     電阻率樣片規(guī)格一般為直徑2英寸（51mm）— 4英寸（100mm），厚度500?m—650?m的圓片（Wafer），包裝為帶標(biāo)簽的標(biāo)準(zhǔn)幣式單片晶圓包裝盒。擴(kuò)展電阻樣片規(guī)格一般為3mm×5mm矩形薄片，包裝為帶標(biāo)簽的獨(dú)立自封袋。